SK海力士HBM内存：70%年增长率背后的消费级市场潜力揭秘

7月5日消息，SK海力士的副总裁及封装技术部门主管文奇郁（Moon Ki-ill）在4日于首尔召开的会议上透露，HBM内存的预计年均复合增长率（CAGR）将会高达70%。这一发言凸显了SK海力士对HBM市场未来发展的高度乐观态度及其强劲的增长潜力。

Moon Ki-ill 表示，市场研究机构 TrendForce 集邦咨询曾认为 2021~2027 年 HBM 内存市场的 CAGR 将为 26.4%，但下游客户的需求远远超过了第三方机构的预期。

根据以往报道，以 SK 海力士为首的三大 DRAM 企业已基本售罄 2025 年的 HBM 供应。

Moon Ki-ill 还提到，HBM 目前主要用于 AI 加速器，但未来价格下降后有望渗透到以 PC 和移动设备为代表的消费级市场。

AMD 曾在 GCN 架构世代推出过数款搭载 HBM 内存的高端消费级显卡（如 RX Vega 64、R9 Fury X 等），但那之后 HBM 就退出了消费级的视野。

Moon Ki-ill 称：“SK 海力士正在为 16 和 20 层堆叠的 HBM 内存生产准备混合键合技术，这将使它们在价格上更具竞争力。”

SK海力士推进CXL内存新纪元：Linux兼容性优化完成，96/128GB CXL 2.0模组年内量产蓄势待发

近日，SSK海力士宣布了一项技术突破，他们自主研发的HMSDK（异构存储器软件开发套件）现已成功在Linux平台上实现核心功能的稳定运行。

这套软件专注于优化CXL（Compute Express Link）内存的操作效率，通过智能化地根据传统内存与先进CXL内存的不同特性来动态调配存储资源，标志着SK海力士在内存解决方案的软件创新上迈出了重要一步。

SK 海力士宣称，即使不调整现有应用程序，HMSDK 也可提高至少 30% 内存整体带宽。此外该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，可将高频使用数据迁移至快速内存，从而提升 12% 系统性能。

随着下半年首批支持 CXL 2.0 的服务器 CPU 问世，CXL 有望正式进入商业化阶段。SK 海力士正为此对 96GB、128GB 容量的 CXL 2.0 内存模组进行客户验证，并计划在年底实现量产。

SK 海力士表示：

CXL 作为继 HBM 之后的下一代面向 AI 的存储器产品而备受瞩目，公司自主研发的 CXL 优化软件 HMSDK，其性能已获得国际认可，并成功应用于全球最大的开源操作系统 Linux 中。

这标志着不仅是如 HBM 等超高性能硬件实力方面，公司的软件竞争力也获得广泛认可，具有重大意义。

SK海力士第六代10纳米DDR5 DRAM震撼发布：速度较前代跃升11%，再创行业新高

8月29日消息，依据您分享的科技前沿资讯，我为您重新整理了SK海力士的这项重大技术突破：今日，SK海力士宣布了一项开创性成就，成功研发出全球首款运用第六代10纳米级（1c）尖端工艺的16Gb DDR5 DRAM芯片。

SK 海力士强调：“随着 10 纳米级 DRAM 技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成 1c DDR5 DRAM 的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”

SK 海力士以 1b DRAM 平台扩展的方式开发了 1c 工艺。SK 海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能 DRAM 受到认可的 SK 海力士 1b 工艺优势转移到 1c 工艺。

而且，SK 海力士在部分 EUV 工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对 EUV 适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在 1c 工艺上也进行了设计技术革新，与前一代 1b 工艺相比，其生产率提高了 30% 以上。

此次 1c DDR5 DRAM 将主要用于高性能数据中心，其运行速度为 8Gbps（每秒 8 千兆比特），与前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。随着 AI 时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将 SK 海力士 1c DRAM 采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少 30%。