三星电子瞄准2025至2026年，革新移动内存领域：LP Wide I/O技术将位宽推升至512bit

7月17日消息，三星电子公布了其在移动内存技术上的最新突破——LP Wide I/O（简称LPWIO）内存的研发进展，这是根据该公司最新的2024年异构集成路线图所透露的信息。

值得注意的是，三星电子以往曾提到过一种名称与其相近的 LLW (Low Latency Wide I/O) 内存，尚不能确认两者关系。

LP Wide I/O 内存将于 2025 年一季度实现技术就绪，2025 下半年至 2026 年中实现量产就绪。

路线图显示，LP Wide I/O 内存单封装位宽将达到现有 HBM 内存的一半 —— 即 512bit。

作为对比，目前的 LPDDR5 内存大多数是单封装四通道共 64bit，未来的 LPDDR6 内存也仅有 96bit。

更大的位宽意味着三星电子的 LP Wide I/O 内存可提供远胜于现有移动内存产品的内存带宽，满足设备端 AI 应用等场景的需求。

在相对较小的移动内存芯片上实现 512bit 位宽，势必需要堆叠 DRAM 芯片，但 HBM 采用的 TSV 硅通孔方式也不适合移动内存各层 DRAM 间的互联。

因此三星电子将在 LP Wide I/O 内存上采用一项名为 VCS (全称 Vertical Cu Post Stack) 的全新垂直互联技术。

同 SK 海力士的 VFO 技术类似，三星电子的 VCS 技术也是将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子表示，VCS 先进封装技术相较传统引线键合拥有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和带宽；

相较 VWB 垂直引线键合 全称 Vertical Wire Bonding，疑似指代 SK 海力士的 VFO 技术) ，三星电子宣称其 VCS 技术的生产效率是前者 9 倍。

三星电子在图片中还提到，其 LPDDR6 内存也预计于 2025~2026 年量产就绪。

三星Galaxy A35 5G手机性能测试揭晓：搭载Exynos 1380处理器，配备6GB内存规格

1月17日消息，一款型号标记为“SM-A356U”的三星 Galaxy A35 5G 手机现身GeekBench跑分平台，揭示其搭载了Exynos 1380处理器，并配置了6GB内存。

消息称三星为 Galaxy A35 手机准备了 Awesome Iceblue、Awesome Lilac 和 Wesome Navy 三种颜色，采用了和 Galaxy A15 / A25 相同的 Key Island 按键设计，右侧放置电源键和音量键区域稍有凸起。

Galaxy A35 的尺寸为 161.6mm x 77.9mm x 8.2mm。相机方面，机身背面配有 3 个摄像头，但参数未知。

作为对比，明年同期发布的 Galaxy A25 5G 拥有 5000 万像素广角（主摄）、800 万像素超广角和 200 万像素微距镜头。

三星电子发力EUV技术精进：测试TEL Acrevia GCB设备，优化光刻工艺性能

9月3日消息，三星目前正着手测试东京电子(Tokyo Electron)的Acrevia GCB气体团簇光束系统，这一举动标志着在半导体制造技术领域的又一重大探索。GCB技术有望提升芯片生产效率与品质，为行业带来革新风潮。

TEL 的 Acrevia  GCB 系统发布于今年 7 月 8 日，可通过气体团簇光束对 EUV 光刻图案进行局部精确整形，从而修复图案缺陷、降低图案粗糙度。

业内人士认为 TEL 的 Acrevia 系统可起到与应用材料 Centura Sculpta 系统类似的作用，即直接对 EUV 曝光图案塑形，减少成本高昂的 EUV 多重曝光，进而缩短光刻流程并提升整体利润率。

此外 Acrevia 系统还可用于消除在 EUV 光刻错误中占约一半的随机错误，提升产品良率。

TEL 相关人士表示潜在客户确实正在进行 Acrevia 系统测试，该设备预计将首先用于逻辑代工而非存储器领域。

此前三星电子已在 4nm 工艺上对应用材料的 Centura Sculpta 进行了测试，如今又测试 TEL 的设备，旨在加强两大半导体设备供应商间的图案塑形订单竞争。